玻芯成（重庆）半导体科技取得封装结构相关专利，提高了封装结构的气密性和防辐射性
发布时间：2024-11-12 10:20 浏览量：2
金融界2024年11月12日消息，国家知识产权局信息显示，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司取得一项名为“一种封装结构、封装器件和封装基板”的专利，授权公告号CN 221977914 U，申请日期为2024年3月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种封装结构、封装器件和封装基板，其中封装结构包括：第一封装基板；第二封装基板，与第一封装基板层叠设置；容纳腔，位于第一封装基板与第二封装基板之间；其中，容纳腔的腔壁上覆盖有封装金属层封装金属层的金属原子序数大于21 容纳腔用于容置电子器件。本实用新型提供的技术方案，提高了封装结构的气密性和防辐射性。